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Si1902DL
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
0.2
0.1
5
4
I D = 250 μA
0
3
- 0.1
2
- 0.2
- 0.3
1
- 0.4
- 50
- 25
0
25 50 75 100
125
150
0
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
t 2
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
P DM
t 1
t 1
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 400 °C/W
3 . T JM - T A = P DM Z th JA(t)
4. Surface Mounted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?71080 .
www.vishay.com
4
Document Number: 71080
S11-2043-Rev. J, 17-Oct-11
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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